總部(bu)設在(zai)加利福尼亞州米爾皮塔(ta)斯(si)和瑞士(shi)Biel的IXYS公司(si)，有IXYS“30年的歷史，它(ta)的創立者是Nathan Zommer博士(shi)，作為一個*要的功率半導體制造商已(yi)經獲得了**性的聲譽(yu)。SIEGLING輸送機皮帶

IXYS專門生產功(gong)率半導(dao)體器(qi)件，集成電路和射(she)頻功(gong)率多(duo)元(yuan)化的產品，有2500多(duo)客戶利用在**各地，包(bao)括在工業，交通，通信(xin)，計算機(ji)，醫(yi)療，消費品和清潔技術市(shi)場。
IXYS公司主(zhu)要(yao)產品：
IXYS電源設備
離散 Mosfet
N 通道： 標準功率 Mosfet
N-通(tong)道： 功率 Mosfet 快本征二*管 (HiPerFET ™)
N 通道(dao)： 消耗模式 Mosfet
N 通(tong)道： 線性功率 Mosfet 與擴展 FBSOAs
N 通道： 溝門(men)功率 Mosfet
N 通道： 超(chao)級(ji)交界處 COOLMOS ™ 功率(lv) Mosfet
P-通道： 標準(zhun)功(gong)率 Mosfet
 
IXYS   MOSFET 模塊
X 級功率 MOSFET、H 橋 MOSFET 模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)、階段腿 MOSFET 模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)、溝門 MOSFET 模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)
升(sheng)壓(ya)(ya)和降壓(ya)(ya)配置、雙開關常(chang)見源 MOSFET 模塊(kuai)、單開關 MOSFET 模塊、ISOPLUS DIL ™ 溝槽 MOSFET 模塊
分(fen)立(li)器件
XPT ™ Igbt、PT Igbt、NPT 分(fen)立器(qi)件、額(e)定 PT Igbt 短(duan)路、很高的電壓 NPT igbt 器(qi)件、BiMOSFETs/反(fan)向(xiang)進(jin)行 Igbt、反(fan)向(xiang)阻斷 Igbt、記者(zhe)包(bao) Igbt、XPT 離散在 SMPD 包(bao)中
IGBT 模塊
XPT IGBT 模塊
轉換(huan)器(qi)/剎車/Inv (CBI) IGBT 模塊、全橋 IGBT 模塊
IGBT 模(mo)塊(kuai)在 ISOPLUS i4-PAC ™、階段(duan)腿(tui) IGBT 模(mo)塊(kuai)
升壓和降壓斬波(bo)器的(de) IGBT ;模塊、IGBT 模塊在 SMPD 包中
IGBT 交流開關
快(kuai)恢復二*管-分立器件 & 模塊、HiPerDYN ™ 弗雷德(de)超(chao)快(kuai)速二*管
聲波 FRD ™ 快恢復二(er)*管(guan)、（弗雷德） 快恢復二(er)*管(guan)
弗雷(lei)德 & HiPerFRED ™ 模(mo)塊、額外快恢(hui)復二(er)*管
軟(ruan)恢復二*管、高功率聲波 FRD ™
SemiFast 二*管(guan)
快恢復二*管-螺柱(zhu)類型(xing)
快恢(hui)復二*管-膠囊類(lei)型
肖特(te)基二*管
硅肖特基二*管
碳化硅肖特基二*管
整流二*管，橋梁，PFC、
1 ~ 整流橋
1 ~ / 3 ~ 半 & 全控橋
3 ~ 整流(liu)橋
3 ~ 橋梁(liang)與 IGBT 和二*管的制動單元
3 ~ 快(kuai)速二*管 & ;集成(cheng)軟(ruan)起動(dong)晶閘管橋(qiao)
1 & 3 階(jie)段高(gao)電壓整流模(mo)塊
1 ~ PFC 模塊(kuai) （1 ~ 橋(qiao) + MOSFET 升壓）
3 ~ PFC 模(mo)塊
IXYS二*管橋
晶(jing)閘管(guan)分立器(qi)件、相位控制晶閘管、快速開關晶閘管、中等電壓晶閘管
門關(guan)斷晶閘(zha)管、非(fei)對稱晶閘(zha)管、分布式(shi)的閘(zha)門晶閘(zha)管
脈沖(chong)晶閘(zha)管(guan)(guan)、MOS 門(men)控(kong)晶閘(zha)管(guan)(guan)、二*管(guan)(guan) & 晶閘(zha)管(guan)(guan)模塊
單(dan)個(ge) & 雙二(er)*管(guan)模塊、可(ke)控硅/二(er)*管(guan)模塊、單(dan)個(ge) & 雙可(ke)控硅模塊
IXYS水冷模塊
交流(liu)開關、DCB 基板和模具(ju)、直接銅保(bao)稅氧化(hua)鋁基板、XPT IGBT 模具(ju)
IXYS高壓電流調節器
非可(ke)切(qie)換(huan)電流調節(jie)器(qi)、可(ke)切(qie)換(huan)電流調節(jie)器(qi)、閘門控制電流調節(jie)器(qi)
開關(guan)
IXYS交流開關、SMPD、SMPD 二*管、SMPD Igbt、SMPD Mosfet、SMPD BiMOSFET
保護裝置
導(dao)通二*管 （BOD）Diristors
碳化硅 (SiC) 產品
功率 Mosfet整流(liu)橋IGBT
 
IXYS集成電路
LED & 液晶屏驅動(dong)程序
背光(guang) LED 驅(qu)動程序(xu)
Flash LED 的驅動程序
離(li)線高亮度 LED 的驅動程序
LED 控制器
光電隔離的固態繼電器
固態繼電器 （MOSFET 型）
功率繼電器
交流開關 （可控硅型）
IXYS光電耦合器和放大器
光電耦合器
光電隔離的誤差放大器
線性光電耦合器
電信 Ic
線卡接入交換機
其(qi)他電信(xin) Ic
Cybergate 數據(ju)訪問安排 （DAA）
IXYS音(yin)信(xin)號產品
LITELINK ™ 硅(gui) DAA、控制器/調節/傳感器、高邊電流監測器
IXDP610 數字脈寬調制控制器、數字的死區時間發生器
µPower 霍爾效應開關
12 位、 多通道功率 & 溫度傳感器
高速度水平移相器
門(men)驅(qu)動程序(xu)、半橋 & 3 相門(men)驅(qu)動程序(xu)
MOSFET/IGBT 柵*驅動程序、全橋(qiao)門驅動程序
IXYS多功能產品
IXYS高速數字光隔離器
電源管理 Ic、高電壓模擬開關
IXYS線性穩壓器
升壓 DC/DC 變流器控制器
電(dian)壓檢測器(qi)、帶內置電(dian)感降壓和升(sheng)壓轉(zhuan)換器(qi)
地(di)面故障中斷、ZGFI
射(she)頻、RFID 芯片、定制的設計(ji)服(fu)務RFID 配件
 
 
IXYS微控制器
Z8 安可 ！、eZ80、ZNEO、Z8051、S3 家(jia)庭(ting)
檢測 & 控制(zhi)、沒有被運動(dong)、電機控(kong)制、MC flash
射(she)頻功率
射頻放大器、MMIC 放(fang)大器(qi)、WiMAX 放(fang)大器(qi)
無線擴音機、HBT 放大器、WiMax Gan 基射頻功(gong)率(lv)放大器
RF Mosfet、GaAs 場效應晶體管/pHEMTs/HFETs
切(qie)換模式 Mosfet、高(gao)頻 ／ 甚(shen)高(gao)頻線性 Mosfet
混合(he)動力模(mo)塊
標準增益課(ke)程模塊(kuai)、標準電壓調節模塊(kuai)
標準溫度補償模塊、射(she)頻驅動程(cheng)序
MOSFET 驅動 Ic、激光(guang)二*管驅動 Ic、GUNN二*管
 
IXYS系統
激光二*管(guan)(guan)驅動程(cheng)序、臺(tai)式激光二*管(guan)(guan)驅動程(cheng)序
激光二*管(guan)驅動配(pei)件、激光二*管(guan)驅動模(mo)塊
IXYS電機控制(zhi)
單相電機效率控制器、脈沖的功(gong)率
脈沖發生(sheng)器(qi)配件(jian)(jian)套件(jian)(jian)
延遲 & 信號發生器、高壓脈沖發生器
 
IXYS綠色能源
太陽(yang)能(neng)產品
IXOLAR ™ **率(lv) SolarBIT & SolarMD
其他(ta)太陽(yang)能電池(chi) — —"芯(xin)片上的太陽(yang)能電池(chi)板(ban)"、太陽(yang)能手持產品
風電產品、Wespack、 Igbt
部分型號：

IXYS-0011	模塊	MCC95—16I01B
IXYS-0017		CS23-16IO2 可控硅模塊