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美國EOS檢測器(qi)組件(jian)
美(mei)國(guo)EOS檢測器組件
EOS于1991年在加利福尼亞成立，由電力電子領域的幾個先驅者成立。EOS是一家具有交匙設計，制造，銷售和支持運營的產品公司。該公司是電源制造商和出口商，并為其客戶提供完整的VAM，ODM和支持和維修服務。EOS品牌的電源已(yi)經向**客(ke)戶銷(xiao)售了超過4000萬臺(tai)。EOS POWER現在已(yi)成為許(xu)多**醫療，工業和質量意識客(ke)戶的電源合作伙(huo)伴。
EOS檢測器組件產品線(xian)由各(ge)種不(bu)同起(qi)始材料(liao)的光電(dian)(dian)二(er)*管和光電(dian)(dian)導體(ti)組成，可(ke)從業內一個來(lai)源中進行廣泛的選擇。EOS在大多數探測器類型中提供幾種標準尺寸，并為非標準要求提供定制設計服務。如果您的應用需要技術支持，請咨詢工廠。
產品(pin)通(tong)常(chang)可(ke)以(yi)分為三個波長(chang)區域，再加上一(yi)個特殊類別，其中包括位(wei)置傳感器，2色檢測器和象限。
UV-VIS / NIR 包括InGaAs，前InGaAs，鍺和硅光電二*管，其覆蓋范圍從0.2到2.6微米。
近紅(hong)外 包括(kuo)InAs和InSb光電二*管，以及覆蓋1至5.5微米光譜(pu)范圍的(de)PbS，PbSe和HgCdTe光電導體。
LWIR 包括(kuo)HgCdTe光電導體以及專用的熱釋電和熱電堆檢測器，用于覆蓋1至40微米以上的光譜范圍。
產品范(fan)圍(wei)：紫外線-VIS / NIR200 nm-2.5微米,近紅外-MWIR 1.0-5.5微米,LWIR2-40微米,象限探測器,近紅(hong)外位置傳感器,2色檢測器
紫外線-VIS / NIR200 nm-2.5微米
此類別中的組(zu)件是硅(gui)，鍺，InGaAs，InGaAs擴展型和光電二*管，其覆蓋范圍從0.2到2.6微米。這些檢測(ce)器(qi)(qi)在室溫下或(huo)與TE-Cooler一起運行，并以(yi)各種(zhong)TO型包裝提供(gong)。提供(gong)幾種(zhong)標準直(zhi)徑以(yi)及特殊設(she)備(bei)，例如(ru)Si和InGaAs象限，2色(se)檢測(ce)器(qi)(qi)，多元(yuan)素檢測(ce)器(qi)(qi)和PSD。
近紅外-MWIR 1.0-5.5微米
此(ci)類(lei)探測器包括InAs和InSb光電二*管以及覆蓋1至(zhi)5.5微米光(guang)譜范圍的PbS，PbSe和(he)HgCdTe光(guang)電(dian)導體。根據(ju)靈敏度要求，使用室溫(wen)(wen)，TE冷卻和(he)低溫(wen)(wen)封裝。提供(gong)各種標準尺(chi)寸和(he)定制尺(chi)寸。
LWIR2-40微(wei)米
EOS于1991年在加利福尼亞成立，由電力電子領域的幾個先驅者成立。EOS是一家具有交匙設計，制造，銷售和支持運營的產品公司。該公司是電源制造商和出口商，并為其客戶提供完整的VAM，ODM和支持和維修服務。EOS品牌的電源已(yi)經向**客(ke)戶銷(xiao)售了超過4000萬臺(tai)。EOS POWER現在已(yi)成為許(xu)多**醫療，工業和質量意識客(ke)戶的電源合作伙(huo)伴。
EOS檢測器組件產品線(xian)由各(ge)種不(bu)同起(qi)始材料(liao)的光電(dian)(dian)二(er)*管和光電(dian)(dian)導體(ti)組成，可(ke)從業內一個來(lai)源中進行廣泛的選擇。EOS在大多數探測器類型中提供幾種標準尺寸，并為非標準要求提供定制設計服務。如果您的應用需要技術支持，請咨詢工廠。
產品(pin)通(tong)常(chang)可(ke)以(yi)分為三個波長(chang)區域，再加上一(yi)個特殊類別，其中包括位(wei)置傳感器，2色檢測器和象限。
UV-VIS / NIR 包括InGaAs，前InGaAs，鍺和硅光電二*管，其覆蓋范圍從0.2到2.6微米。
近紅(hong)外 包括(kuo)InAs和InSb光電二*管，以及覆蓋1至5.5微米光譜(pu)范圍的(de)PbS，PbSe和HgCdTe光電導體。
LWIR 包括(kuo)HgCdTe光電導體以及專用的熱釋電和熱電堆檢測器，用于覆蓋1至40微米以上的光譜范圍。
產品范(fan)圍(wei)：紫外線-VIS / NIR200 nm-2.5微米,近紅外-MWIR 1.0-5.5微米,LWIR2-40微米,象限探測器,近紅(hong)外位置傳感器,2色檢測器
紫外線-VIS / NIR200 nm-2.5微米
此類別中的組(zu)件是硅(gui)，鍺，InGaAs，InGaAs擴展型和光電二*管，其覆蓋范圍從0.2到2.6微米。這些檢測(ce)器(qi)(qi)在室溫下或(huo)與TE-Cooler一起運行，并以(yi)各種(zhong)TO型包裝提供(gong)。提供(gong)幾種(zhong)標準直(zhi)徑以(yi)及特殊設(she)備(bei)，例如(ru)Si和InGaAs象限，2色(se)檢測(ce)器(qi)(qi)，多元(yuan)素檢測(ce)器(qi)(qi)和PSD。
近紅外-MWIR 1.0-5.5微米
此(ci)類(lei)探測器包括InAs和InSb光電二*管以及覆蓋1至(zhi)5.5微米光(guang)譜范圍的PbS，PbSe和(he)HgCdTe光(guang)電(dian)導體。根據(ju)靈敏度要求，使用室溫(wen)(wen)，TE冷卻和(he)低溫(wen)(wen)封裝。提供(gong)各種標準尺(chi)寸和(he)定制尺(chi)寸。
LWIR2-40微(wei)米
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